Samsung Gandeng TSMC Produksi Base Die Memori NVHBM untuk NVIDIA

Penulis: Nurul Huda  •  Selasa, 20 Oktober 2026 | 21:39:01 WIB
Samsung dikabarkan menyerahkan produksi base die memori NVHBM untuk NVIDIA kepada TSMC.

SULAWESI SELATAN — Samsung dikabarkan menyerahkan produksi base die memori NVHBM milik NVIDIA kepada TSMC, meski memiliki fasilitas fabrikasi chip 3 nm sendiri. Kolaborasi ini muncul karena NVIDIA mensyaratkan proses 3 nm TSMC untuk komponen penghubung memori dengan chip komputasi tersebut. Standar NVHBM diklaim menaikkan bandwidth hingga 30% dibanding HBM4E.

NVIDIA menetapkan syarat proses fabrikasi 3 nm TSMC untuk base die NVHBM, sehingga Samsung harus melibatkan pihak ketiga dalam rantai produksinya. Keputusan tersebut terdengar janggal karena Samsung sudah punya lini fabrikasi chip sendiri, termasuk yang berbasis teknologi 3 nm. Namun kebutuhan menyesuaikan base die dengan rancangan NVIDIA membuat Samsung mengalah pada permintaan tersebut.

Apa Itu NVHBM dan Posisinya di Jalur Memori AI

NVHBM merupakan pengembangan memori HBM yang mengintegrasikan pengontrol memori langsung ke dalam tumpukan 3D. Pendekatan ini berbeda dari HBM konvensional yang menempatkan pengontrol di luar tumpukan. NVIDIA mengklaim NVHBM mampu menaikkan bandwidth hingga 30% dibanding HBM4E standar.

Selain kecepatan, konsumsi daya memori diklaim turun 15%. Area chip komputasi yang bisa dipakai juga bertambah hingga 25%, memberi ruang lebih lega bagi inti pemrosesan AI.

Pembagian Kerja: Samsung di Memori, TSMC di Base Die

Base die berfungsi menghubungkan sistem memori dengan chip komputasi, sehingga proses fabrikasinya harus mengikuti rancangan NVIDIA. Bagian inilah yang akhirnya diserahkan ke TSMC. Sementara itu, produksi chip memori HBM tetap ditangani Samsung menggunakan proses fabrikasi generasi keenam di kelas 10 nm.

Pembagian peran ini menunjukkan persaingan industri memori AI kian melibatkan kolaborasi antarprodusen. Samsung tetap memasok memori, TSMC menangani komponen yang butuh proses fabrikasi khusus.

Seberapa Kencang NVHBM Secara Teoretis

Samsung telah mengembangkan HBM4E dengan kecepatan hingga 16 Gbps per pin. Dengan tambahan bandwidth yang diklaim NVIDIA, satu stack NVHBM secara teoretis dapat mencapai throughput sekitar 5,2 TB/s.

Konsumsi daya yang lebih rendah berpotensi mengurangi panas dan memberi ruang termal lebih besar bagi chip komputasi. Pada skala pusat data AI, ruang termal tambahan jadi faktor penting karena accelerator biasanya bekerja mendekati batas daya.

Yang Belum Jelas dari Kemitraan Ini

Detail produk, jadwal produksi massal, dan implementasi NVHBM masih belum diketahui secara pasti. Belum ada konfirmasi resmi soal volume produksi maupun harga per unit. Informasi yang beredar sejauh ini baru sebatas rancangan teknis dan pembagian tugas antarprodusen.

Bagi pengguna di Indonesia, dampak langsungnya memang belum terasa. Teknologi NVHBM menyasar pusat data dan akselerator AI, bukan perangkat konsumen seperti ponsel atau laptop. Namun keputusan Samsung ini memberi gambaran arah industri: kapasitas fabrikasi saja tidak cukup tanpa kemampuan menyesuaikan desain dengan permintaan pelanggan besar seperti NVIDIA.

Reporter: Nurul Huda
Sumber: jagatreview.com This article was automatically rewritten by AI based on the source above without altering the facts of the original article.
Back to top